HBM4, il nuovo carburante per i motori dell’AI | | | | Turtles AI

SK Hynix ha completato lo sviluppo e avviato la preparazione alla produzione di HBM4, memoria ad altissima larghezza di banda che raddoppia I/O e supera lo standard JEDEC del 25 %, mentre Micron e Samsung inseguono a ruota.

Punti Chiave:

• HBM4 di SK Hynix pronta per la produzione industriale.
• Interfaccia a 2.048 bit e velocità oltre 10 Gb/s per pin (+25 % rispetto a JEDEC).
• Efficienza energetica aumentata del 40 % grazie a innovazioni costruttive.
• Samsung e Micron stanno sviluppando stack HBM4, ma con ritardo rispetto a SK Hynix.

Un nuovo capitolo nell’universo delle memorie ad altissima banda prende forma grazie all’annuncio di SK Hynix: l’azienda sudcoreana ha ufficialmente concluso la certificazione interna del suo HBM4 a 12 livelli di stacking e ha predisposto una catena produttiva capace di lanciare i primi volumi nel corso del 2025. Questo traguardo ha spinto le azioni SK a un balzo superiore al 7 %, ben al di sopra dell’andamento generale del KOSPI.

La nuova generazione raddoppia il numero dei terminali I/O  da 1.024 a 2.048  e dunque la larghezza di banda, portando a oltre 10 Gb per secondo per pin, un incremento di circa il 25 % rispetto al limite stabilito da JEDEC. In parallelo, l’adozione del processo proprietario MR-MUF unita alla tecnologia DRAM in nodo 1 bnm consentono un’efficienza energetica superiore del 40 % rispetto alla precedente generazione HBM3E.

Le prossime GPU AI di Nvidia, della serie Rubin – già anticipate al GTC con specifiche di 288 GB di memoria HBM4 e fino a 13 TB/s di bandwidth aggregata  e AMD, che punta a integrare fino a 432 GB di HBM su GPU della serie MI400 per il progetto Helios con quasi 20 TB/s, contano su questa memoria avanzata. Questo salto tecnico rende il prodotto cruciale per alimentare i sistemi AI di fascia data center nel 2026.

La concorrenza però non resta a guardare: Micron ha iniziato a inoltrare ai clienti i primi sample di HBM4 da 36 GB impilati a 12 layer con interfaccia a 2.048 bit, promettendo prestazioni di circa il doppio rispetto all’HBM3E. Anche Samsung ha inviato campioni a potenziali clienti e, secondo fonti recenti, ha superato i test di qualificazione per i progetti Nvidia, avviando la pre-produzione entro agosto 2025. Tuttavia il suo percorso è stato segnato da ritardi legati al yield dei wafer in produzione, stimati intorno al 65 % a luglio, con prevista partenza del pieno volume solo nel 2026.

Il vantaggio di SK Hynix però va oltre la velocità: i suoi HBM4 integrano una base logic die personalizzata per cliente che rende difficile la sostituzione con offerte concorrenti, rafforzando la posizione di fornitore privilegiato soprattutto per Nvidia, che ha già affidato a SK la maggioranza dell’offerta HBM negli ultimi anni. Gli analisti prevedono che SK Hynix manterrà una quota di mercato superiore al 60 % entro il 2026, grazie anche a questa finestra di first-mover advantage.

In parallelo alla corsa all’HBM4, SK ha stretto una partnership con Sandisk per promuovere uno standard di memoria ibrida chiamata High Bandwidth Flash (HBF), che combina flash NAND e architetture simili all’HBM offrendo capacità fino a 8-16 volte superiori rispetto alla DRAM e potenziale efficienza energetica per workload AI edge-oriented  sebbene questa tecnologia esordirà solo entro il 2027.

Il panorama dell’HBM4 si configura quindi come una tensione tra leadership consolidata di SK Hynix, inseguitori tecnologici come Micron e Samsung, specifiche ardite  fino a 16 layer, 64 GB per stack e fino a 2 TB/s di bandwidth per stack secondo il referto JEDEC del 2025  e una domanda globale che spinge i giganti AI ad assicurarsi forniture su larga scala in previsione del lancio delle nuove GPU.

Nella promessa dell’HBM4 si intravede così il cuore pulsante dell’infrastruttura del training AI di avanguardia, e mentre SK Hynix prepara la produzione massiva, Samsung e Micron affilano le armi  ciascuno con strategie e tempistiche diverse.