PoX, l’evoluzione della memoria ultrarapida | Rete neurale psicologia | Intelligenza artificiale online chat | Intelligenza artificiale rischi | Turtles AI

Un team dell’Università di Fudan ha sviluppato "PoX", una memoria flash non volatile capace di scrivere un bit in 400 picosecondi, raggiungendo 25 miliardi di operazioni al secondo. Questa innovazione potrebbe migliorare l’hardware AI, eliminando i colli di bottiglia legati alla memoria.

Punti chiave:

• Velocità senza precedenti: PoX scrive dati in 400 picosecondi, superando di 10.000 volte le memorie flash attuali.
• Innovazione tecnologica: Utilizzo del grafene bidimensionale per un trasporto di carica balistico.
• Ottimizzazione AI: Processi di fabbricazione ottimizzati tramite algoritmi di AI.
• Implicazioni industriali: Potenziale eliminazione delle cache SRAM, riducendo spazio ed energia nei dispositivi.

In un laboratorio dell’Università di Fudan a Shanghai, un gruppo di ricercatori ha realizzato una svolta nel campo della memoria digitale: un dispositivo flash non volatile, denominato "PoX", capace di scrivere un singolo bit in appena 400 picosecondi, equivalenti a 25 miliardi di operazioni al secondo. Questo risultato supera di gran lunga le prestazioni delle memorie flash tradizionali, che operano in micro o millisecondi, e si avvicina alla velocità delle memorie volatili come SRAM e DRAM, mantenendo però la capacità di conservare i dati senza alimentazione.

La chiave di questa innovazione risiede nell’adozione del grafene bidimensionale di Dirac al posto dei tradizionali canali in silicio. Il grafene, noto per le sue eccezionali proprietà di conduzione elettrica, permette un trasporto di carica balistico, riducendo drasticamente i tempi di scrittura. Inoltre, regolando la "lunghezza gaussiana" del canale, i ricercatori hanno ottenuto una "super-iniezione bidimensionale", un flusso di carica praticamente illimitato nello strato di accumulo, superando i limiti tradizionali dell’iniezione di carica.

Per perfezionare il processo di fabbricazione, il team ha impiegato algoritmi di AI, ottimizzando le condizioni di test e portando la memoria non volatile al suo limite teorico. Secondo Zhou Peng, leader del progetto, questa combinazione di materiali avanzati e ottimizzazione AI apre la strada a nuove applicazioni per la memoria flash ad alta velocità.

Le implicazioni industriali di PoX sono significative. La possibilità di eliminare le cache SRAM ad alta velocità nei chip di intelligenza artificiale potrebbe ridurre lo spazio occupato e il consumo energetico dei dispositivi. Inoltre, la capacità di conservare i dati senza alimentazione rende PoX ideale per dispositivi edge e sistemi con batteria limitata, come smartphone e laptop, migliorando l’efficienza energetica e le prestazioni.

Attualmente, il team di Fudan sta lavorando per scalare l’architettura delle celle e condurre dimostrazioni a livello di array. Sebbene non siano stati ancora nominati partner commerciali, le fonderie cinesi stanno esplorando l’integrazione dei materiali 2D con le linee CMOS tradizionali, suggerendo una potenziale compatibilità con i processi di produzione esistenti.

Questa innovazione rappresenta un passo significativo verso la prossima generazione di dispositivi di archiviazione, con il potenziale di trasformare l’intero panorama tecnologico.